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背散射電子樣品受激發(fā)出射的主要信號-華普通用

發(fā)表日期:2019/07/17 瀏覽次數(shù):


樣品受激發(fā)出射的主要信號

背散射電子(Backscattered electron,簡稱BSE)以實驗為例:用已知量的束流入射到正偏置的樣品中,僅約70%的電子能量消耗在作用區(qū)內(nèi),其余30%的電子從樣品中背散射出來,這是背散射電子。起因是由于部分入射電子受到樣品原子核在任意方向上的彈性散射,而能量變化不大。其中某些電子可能僅受到單次(或有限的幾次)大角散射,即刻反轉(zhuǎn)過來,離開樣品,基本保持入射電子能量,通常稱其為彈性背散射電子。還有些電子在樣品中損失了不同程度的能量,經(jīng)過多次(幾十次甚至幾百次)各種非彈性散射事件,能量損失越來越多,其方向也明顯改變,當最終散射過程接近表面附近時,若總的散射角9>90°時,就從表面射出來,這些稱為非彈性背散射電子。

束電子一般要穿入樣品的某個深度后才能經(jīng)受充分的散射過程,使其穿行方向反轉(zhuǎn)和引起背散射,因此從樣品出射的背散射電子帶有樣品某個深度范圍內(nèi)的性質(zhì)信息,其取樣深度很大程度上依賴樣品本身的性質(zhì),無法用單一數(shù)字給出這個深度值,通過計算認為背散射電子的取樣深度范圍在1/3的作用區(qū)內(nèi)攜帶該區(qū)域內(nèi)的形貌和成分信息。


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